台积电3nm工艺或于9月量产，明年实现稳定量产！

  【雷竞技须安全稳定 数码频道】据媒体报道，台积电3nm制程工艺在完成技术研究以及试产后，预计于第三季下旬投片量将会有一个大幅度的拉升，而第四季度的投片量会达到上千的水准并且正式进入量产阶段。

  根据业内人士透露，以目前台积电3nm制程工艺的试产情况来看，预期进入9月量产后，初期的良品率表现会比此前的5nm制程初期要更好一些。台积电总裁兼联合行政总裁魏哲家此前也表示过，台积电的 N3 制程进度符合预期，将在 2022 年下半年量产并具备良好良品率。在 HPC(高性能计算机群)和智能手机相关应用的驱动下，N3 制程 2023 年将稳定量产，并于 2023 年上半年开始贡献营收。

  而在3nm制程的加强版上，台积电表示其研发成果也要优于预期，将具有更好的效能、功耗以及良品率，能够为智能手机以及HPC相关应用在3nm时代提供完整的平台支持，而N3E制程也预计在2023年下半年进入量产。目前已经确认苹果将成为台积电3nm工艺的首位客户，或将在M2 Pro上首发该工艺芯片。

  同时有消息表明，原先台积电的3nm客户为英特尔，但由于英特人的Meteor Lake 核显订单延期，此举大幅冲击台积电扩产计划，造成 3nm 制程自今年下半年至明年首波客户仅剩苹果，产品包含 M 系列芯片及 A17 Bionic 芯片。因此，台积电已决议放缓其扩产进度，以确保产能不会因过度闲置而导致成本压力。

  业内人士称，明年下半年英特尔也将尝试采用3nm芯片，而高通、联发科等企业则会在明年以及后面逐渐完成3nm芯片的研发，并应用到新款产品上。而三星在早先已经全球首发了3nm制程工艺芯片，并且在韩国的华城工厂大规模开始量产3nm芯片，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。

  与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA制造工艺也尚在研发中，下一代工艺将使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并减少35%的面积。三星电子表示，其GAA晶体管芯片将会应用于高性能、低功耗的计算领域，并计划拓展到移动处理器。

  不知道在此前几代工艺上失利的三星是否能在3nm时代找补回来，虽然已经首发了3nm工艺，但是在整个工艺的良品率上还不足以引起台积电的警惕。目前来看，台积电依旧有几率领跑整个3nm时代，这从高通转投台积电也能看出。