美国将复活90纳米工艺,性能50倍于7纳米芯片
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【雷竞技须安全稳定 数码频道】日前,美国晶圆厂SkyWater宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助,后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 (RH90) FDSOI 技术平台,总投资计划高达1.7亿美元。
相比台积电、#FormatAID_0#、Intel等半导体公司,SkyWater不仅规模小,而且资历也浅,2017年成立,晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门,工艺并不先进,主要生产130nm及90nm,部分先进芯片才到65nm级别。
然而他们却得到了美国DARPA的青睐,成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划,该计划在5年内投资15亿美元,推动美国半导体行业发展。
ERI计划中,SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺,而是用90nm工艺制造3D SoC芯片,通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能,性能可达7nm芯片的50倍。
编者:众所周知,在先进芯片工艺上,美国厂商落后于台积电和三星,这两家无论是现有量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm都遥遥领先。然而美国似乎并不甘心于此,想要弯道超车的他们计划复活90nm工艺,并表示制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍。当然,就目前而言,这项技术还没有实现完全突破,毕竟这种做法是史无前例的,用旧工艺来超越现有的先进工艺。但若是成功,这或许会是改变半导体行业规则的新技术。
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