TLC并非一无是处 短命芯片或助力数据中心
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此前雷竞技须安全稳定 服务器频道的《固态硬盘发展之殇:渐行渐远的企业存储方案》一文曾经讲过,虽然SSD固态硬盘一度可能成为存储解决方案中的首选,然而随着工艺的升级以及存储芯片研究的深入,存储颗粒制造商最终走上了一条捷径:在尽量不增加晶体管规模的前提下,通过SLC-MLC-TLC-QLC的演变,以最低成本的方式实现了容量的三级跳,同等成本下MLC存储颗粒的容量是SLC的2倍,而TLC的容量达到SLC的3倍。
不过这样的发展路线也为固态硬盘带来了一个非常棘手的问题。芯片对数据进行存储是依赖于电压的,从SLC一路升级过来,存储时所使用的控制电压也随之从2种升级到了8种,频繁变化的电压带来的不仅仅是存储延迟增加造成的性能下降,更是对晶体管的巨大冲击。
屋漏偏逢连夜雨,由于晶体管制造工艺进步“令人惊喜”,制程从50纳米以上向20纳米甚至更高级别的工艺迈进,晶体管在承受的电压冲击越来越复杂的同时,自身却越来越脆弱,因此在寿命方面大打折扣,发展到TLC时,其P/E周期(写入/擦除循环周期,可以看作是寿命)只有SLC的1%,也只有MLC的30%。目前TLC的P/E周期不足1000次,远远达不到2500次的企业级存储要求。
其实即使没有TLC出现,SSD寿命的问题也依然会引发企业存储行业的探讨。理论上来说,制程越先进,其好处应该越多,然而在存储领域完全不是这样。在MLC时代,随着制造工艺的升级,早期的MLC芯片与如今的MLC芯片寿命也有了很大差异,在MLC芯片上的寿命缩水就已经达到了70%。
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