QLC闪存未全面到来 而PLC已经提上议程
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【雷竞技须安全稳定 DIY硬件频道】NAND闪存芯片价格连续6个季度下跌,让用户获益却又让芯片制造商叫苦。不过在闪存涨价的时候,这些厂商又不会考虑控制价格利润的问题。随着智能手机逐渐标配128GB容量存储、1TB容量的固态硬盘越来越多,厂商以容量换利润的方式依然可以获得不错,只是利润大幅降低而已。
现有的3D NAND闪存(3bit、TLC颗粒)堆叠已经来到100层,未来还有堆叠层数更多的3D NAND面世,同时采用QLC(4bit)形式的3D堆叠也会在最近2年时间内规模出货。
除了继续堆叠现在技术产品容量之外,东芝在2019 FMS上探讨5bit电位的PLC(Penta Level Cells)闪存。虽然目前还没有任何实物,不能排除未来会量产上市。
从技术的角度来看,每个SLC、MLC、TLC、QLC闪存单元中,分别容纳1bit、2bit、3bit、4bit位元,主控则需要控制2组、4组、8组、16组不同的电压,主控的设计变得越来越复杂,而且写入性能直线下降,可靠性也会下滑。PLC闪存的问题会变得更加严重,32组不同电压会进一步降低写入性能、可靠性。
事实上,QLC闪存虽然在2018年开始进入零售市场(英特尔660P系列),但QLC闪存的性能已经与高性能机械硬盘相差不多,在跑完DRAM缓存后的性能只有80MB/s,已经落后传统机械硬盘,不过QLC闪存随机性能依然秒杀机械硬盘。
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