聊聊存储涨价背后的闪存 3D NAND绝对是主流

  【雷竞技须安全稳定 DIY硬件频道】近段时间，存储价格大幅上涨，不仅仅只有固态硬盘市场就连此前一直低迷的内存市场也跟着价格上涨。追寻原因，在存储设备涨价的背后元凶则是闪存颗粒。那么，很多用户不禁要问了，随着闪存技术的升级，制作工艺的不断换代，价格应当是不断下降的？那么在价格上闪存颗粒的跟存储设备又有什么关系，下面我们就来详细聊聊存储涨价背后的闪存。

  在闪存的市场上，分别以三星、东芝、闪迪、英特尔、SK海力士、美光等六家颗粒制造商为主，据统计它们六家的闪存产能几乎占据了NAND闪存市场近9成的市场比重，几乎所有的工艺的创造和升级，都是由这么几家原厂所主导。

  根据闪存颗粒内部电子数的不同，会分为SLC/MLC/TLC，SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵(约MLC3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命。

  MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。

  TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度相对慢寿命相对短，价格便宜，约500次擦写寿命，是当下主流厂商首选闪存颗粒。 

  但是随着晶圆物理极限的不断迫近，固态硬盘上单体的存储单元内部的能够装载的闪存颗粒已经接近极限了，更加专业的术语表述就是单die能够装载的颗粒数已经到达极限了，要想进一步扩大单die的可用容量，就必须在技术上进行创新，于是3D NAND技术也就应运而生了。

  什么是3D NAND闪存： 

  3D闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。使得3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了。

  
 从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦

  3D NAND优势： 

  3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同，2D NAND是平面结构而3D NAND是立体结构，3D结构是以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效的降低堆栈间的干扰。

  目前2D NAND工艺逼近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，2D NAND向3D NAND转型是业界趋势。目前NAND FLASH的制造技术达到16~19纳米工艺，已接近极限，进一步压缩尺寸会带来极高的成本且导致存储位不再稳定可靠。

  3D NAND使得颗粒能够进行立体式的堆叠，从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制，在同样体积大小的情况下，极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积，进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。

  同时，在业界，根据在垂直方向堆叠的颗粒层数不同，和选用的颗粒种类不同，3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层 3D TLC/MLC颗粒的不同产品，这取决于各大原厂厂商的技术储备和实际选用的颗粒种类。

  3D NAND绝对是主流： 

  在主要的NAND厂商中，除了三星已量产3D V-NAND外，东芝/SanDisk、美光、SK海力士陆续公布其3D NAND量产进程，由于技术不成熟以及2D NAND生产线替换问题，如今3D NAND的良品率并不高，总产量也不够高，因而才引发了当下固态硬盘市场价格的疯涨，成了固态硬盘等存储产品价格上涨的第一大原因。

  那么固态硬盘市场价格上涨幅度如此厉害，什么时候才能回归到正常？据笔者了解，各大闪存厂商都在稳定和成熟的发展其3D NAND技术。 可以预计，随着2017年各大闪存厂商开始专心研发3D NAND闪存，闪存颗粒市场的3D NAND将成为绝对的主流，那个时候也就是各类存储设备价格回归正常的时候。

 总之，3D NAND技术已成未来发展的大趋势，预计2017年3D NAND将展开大战，市场规模将迅速扩大。3D NAND优势就是存储容量大，性能优异，随着四大豪门3D NAND的量产，SSD采用3D NAND是必然发展。