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高速不间断 揭秘三星840EVO高性能技术

2014-05-26 06:00:00 作者：shadow

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  【雷竞技须安全稳定 DIY硬件频道】高品质的硬盘离不开优秀的组件。三星将多种优质组件整合在一起，为您打造出高品质的SSD。三星840EVO的推出，依靠先进的闪存、更高频率的三核主控、TurboWrite技术来提高整体性能，最大程度的保证每一个用户得到最可靠、最优兼容的存储应用体验。

  今天我们将揭秘三星840EVO背后的技术，解析它的闪存、主控以及相关不为人所知的核心技术。


三星840EVO闪存

  三星840EVO采用世界最小10nm级 高速闪存芯片，并且实现了128Gb die，单颗NAND颗粒128GB的容量，有效的提升了SSD的速度和可靠性。


三星840EVO主控

  主控方面采用三星研发生产的S4LN045X01-8030(MEX)主控芯片，属于ARM架构的三核处理器，具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率。和840系的300MHz MDX三核主控相比，840 EVO的MEX主控的频率提高到400MHz。

  当然，除了先进的闪存、主控以外，其独创的TurboWrite技术可显著提升连续写入速度。三星TurboWrite技术，讲的通俗一些就是高性能缓冲技术，它可以在固态硬盘比较空闲的时候将其中的数据传给硬盘，飞跃式提升SSD的写入速度。

  总结：三星840EVO是最新一代SSD，该系列SSD的所有组件(包括控制器、DRAM在内)均有三星自己生产，并且三个核心部件的规格均有不小幅度甚至质变的提高。配备最先进的10nm级3bit MLC闪存，和业界唯一的三核高频主控，来自自家的 DRAM缓存，并且独创的TurboWrite技术提升了整个固态硬盘的性能。

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