3D V-NAND技术 三星845DC PRO SSD详细解析

  【雷竞技须安全稳定 DIY硬件频道】三星845DC PRO固态硬盘采用了三星电子独家专利3D V-NAND闪存技术，它不但读写性能强悍，并且它的闪存P/E寿命要高得多，支持每天10次全盘写入，终身写入量7.3PB(400GB容量)、14.6PB(800GB容量)这款应用于更高规格企业环境的SSD，它延续三星自主研发生产的主控、闪存、缓存、固件等四位一体的SSD解决方案优势，让其产品在性能上更加的强悍，下面为了让用户更加了解这款产品，我们将三星845DC PRO固态硬盘从拆解和性能上做个详细的分析，这次我们测试的是它的最高800GB容量版本。

  三星845DC PRO固态硬盘详细介绍：

  三星针对小型企业服务器市场，推出的一款企业级新品“845DC Pro”，它和应用3bit MLC 2D平面结构闪存的840 EVO不同，845DC PRO使用的是第一代24层 3D V-NAND 2bit MLC闪存。845DC PRO沿用845DC EVO的模具，其背面的标签所印的845DC PRO可区别两者。其次三星845DC PRO SSD高达28%的闪存冗余比例，也要高出845DC EVO不少。

  三星845DC PRO 800GB的标签展示了与EVO不一样的地方，显眼的大红PRO标志彰显着高端档次。这一点就体现在NAND的使用上，采用了与850 PRO一样的24层 3D V-NAND 2bit MLC闪存，主控依然是三星当前主流的MEX。

  在性能上，三星845DC PRO固态硬盘使用的是第一代24层 3D V-NAND 2bit MLC闪存，随机读取性能92000 IOps，随机写入性能50000-51000 IOps，连续读取速度530MB/s，连续写入460MB/s，400GB的TBW耐久度为7300，800G的TBW耐久度为14600，提高一倍。

  闪存方面，三星845DC PRO采用的是三星第一代3D V-NAND技术，单层容量为128Gb，最高可实现24层堆叠，而这款800GB容量固态硬盘它配置了8个闪存编号为K9PKGY8S7M-CCK0的颗粒，构成1TB的物理容量，预留空间比例达到了28%。单个颗粒为128GB，仅用了8层堆叠。

  三星845DC PRO 固态硬盘的厚度依然仅有7mm，2.5寸，接口方面，三星845DC PRO 固态硬盘采用SATA3.0 6Gbps速率，这款三星845DC PRO固态硬盘，共有400GB和800GB两个版本，今天我们测试的是它的最高的800GB容量版本，下面请看我们详细测试报告。